Последний уровень раздела предыдущего изложения   Текущий уровень изложения предыдущего раздела   Текущий уровень изложения следующего раздела   Первый уровень изложения следующего раздела   Уровень:


Память типа Rambus

Разработкой памяти типа Rambus (RDRAM) занимается компания Rambus Inc., которая владеет большинством патентов на эту технологию, лицензируя ее ведущим производителям микросхем памяти. Память типа Rambus основана на шине из 30 проводников, имеющих строго одинаковую длину для обеспечения одинаковой задержки. Из них 16 или 18 используются для передачи данных (две группы по восемь), а остальные - для управления и синхронизации. Линия передачи работает на частоте 400 МГц в дифференциальном режиме ("0" соответствует 1,0 В, "1" - 1,4 В). Передача данных осуществляется по фронту и срезу тактового сигнала, поэтому потенциальная скорость обмена по шине памяти равна 1,6 Гбайт/с (реальная средняя скорость достигает 600 Мбайт/с). Разность расстояний от разных модулей и микросхем RDRAM выравнивается контроллером за счет программируемых задержек, поэтому доступ к данным жестко синхронизирован и не зависит от числа микросхем и их расположения.

RDRAM обеспечивает конвейерный доступ к памяти с одновременной передачей адреса и данных. При этом допускается одновременная обработка до 4 запросов. Задержка первого пакета данных составляет 50 нс, а остальные следуют без задержки до смены режима чтение/запись. Внутреннее ядро RDRAM имеет 128-разрядную шину данных, работающую на частоте 1/8 системной (100 МГц). Логика RDRAM позволяет иметь различное количество банков памяти, причем увеличение числа банков уменьшает зависимость между запросами и позволяет их распараллеливать.

Для управления потребляемой мощностью в RDRAM предусмотрено четыре состояния: Active, Standby, Nap и PowerDown. Контроллер памяти Rambus использует протокол Direct Rambus Channel, преобразующий 800 МГц внутренний шинный интерфейс во внешний с частотой 200 МГц (64 разряда) или 100 МГц (128 разрядов).

Существуют две разновидности RDRAM: Concurrent Rambus и Direct Rambus. В первой используется улучшенный синхронный параллельный протокол для обработки чередующихся или перекрывающихся данных, показывающий хорошее быстродействие даже на маленьких, случайно расположенных блоках данных. При этом обеспечена совместимость с RDRAM предыдущего поколения. Технология Direct Rambus использует более высокие тактовые частоты, усовершенствованный протокол обмена, а также многобанковые модули, что существенно повышает скорость работы (например, 800 МГц 2-банковый модуль обеспечивает пиковую производительность 1,6 Гбайт/с).

В настоящее время RDRAM применяется в некоторых рабочих станциях на базе RISC-процессоров, в игровых приставках типа SONY Playstation, а также в качестве видеопамяти . В настоящее время фирма будет Intel выпускает чипсеты с поддержкой этого типа памяти, это могло бы обеспечить ей более широкое распространение, однако этому мешает высокая стоимость RDRAM, поэтому в настоящее время более популярной оказывается технология DDR SDRAM.