|
|
|
|
|
|
||
Моделью одной ячейки динамической памяти служит конденсатор (см. Оперативная память ). Бит информации такой памяти представляется в виде наличия (1) или отсутствия (0) заряда на конденсаторе. Считать значение, не изменив эту информацию, невозможно, поэтому после операции считывания заряд ячейки необходимо восстановить. Для экономии числа контактов ячейки памяти организованы как элементы некой таблицы. При считывании или записи содержимое целой строки переносится в специальный буфер, а после считывания содержимое буфера перезаписывается в ту же строку ячеек динамической памяти, то есть производится перезаряд конденсаторов.
Время хранения заряда конденсатором из-за паразитных утечек заряда ограничено. Чтобы не потерять имеющиеся данные, необходима периодическая перезапись информации, которая выполняется во время регенерации (refresh cycle). Операции разрядки-перезарядки занимают определенное время, снижая скорость работы динамической памяти, что является одним из основных ее недостатков. Однако, учитывая информационную емкость, низкую стоимость и энергопотребление, этот тип памяти во многих случаях предпочтительнее статической.
Большинство выпускаемых модулей DRAM имеют страничную организацию ячеек памяти (Fast Page Mode, или FPM DRAM), ускоряющую доступ к расположенным последовательно в пределах страницы данным по сравнению с произвольной выборкой. Для этих модулей характерно время выборки 60 нс и более, что позволяет использовать их на частотах не более 60-66 МГц. При этом типичный цикл работы составляет от 7-3-3-3 до 5-3-3-3 такта в зависимости от используемого набора микросхем материнской платы. В настоящее время FPM DRAM, применявшаяся в системах четвертого и пятого поколения, морально устарела.