Последний уровень раздела предыдущего изложения   Текущий уровень изложения предыдущего раздела   Текущий уровень изложения следующего раздела   Первый уровень изложения следующего раздела   Уровень:


Синхронная DRAM (SDRAM)

Синхронная (не путать со статической!) память Synchronous DRAM (или SDRAM) основана на стандартной DRAM , но работает синхронно с тактами центрального процессора. При этом контроллер памяти имеет информацию о времени готовности данных, что позволяет освободить процессор от необходимости ждать момента доступа к памяти. Для ускорения работы используется чередование двух банков памяти (interleaving). Опрашивая их поочередно, можно поднять скорость работы в два раза. Кроме этого, при операциях чтения и записи используется пакетно-конвейерный режим (pipelined burst mode). Благодаря этим приемам SDRAM может передавать данные со скоростью вплоть до 100MГц, что почти в четыре раза превышает скорость работы FPM DRAM. Для SDRAM характерна работа по циклу 5-1-1-1 такта для первого и 1-1-1-1 для последующих обращений, но, в отличие от BEDO DRAM, на гораздо более высоких тактовых частотах (на сегодняшний день до 133 МГц).

В отличие от других модулей памяти, маркировка SDRAM отражает не время выборки, а частоту, на которой этот модуль способен работать. Модули со временем цикла 15 и 10 нс устойчиво работают на частотах не более 66-75 МГц. Для 100 МГц системной шины необходимы модули на 7-8 нс, отвечающие спецификации PC100 .